Module BSM150GB170DN2 de puissance semi-conducteur IGBT bipolaire

Composant Semi-conducteur de Puissance IGBT

Le BSM150GB170DN2 est un module de puissance de type IGBT double (transistor bipolaire à grille isolée) encapsulé dans un boîtier industriel hermétique et isolé. Ce type de composant combine les avantages de commande simple d'un MOSFET et la faible tension de saturation d'un transistor bipolaire.

Architecture Interne Intégrée

Chaque commutateur du module est couplé en parallèle inverse avec une diode rapide, ce qui élimine le besoin de circuits d'écrêtage externes complexes lors du pilotage de charges inductives telles que les bobinages de moteurs ou les transformateurs.

Ce module garantit une intégration propre dans les conceptions de circuits imprimés de puissance ou les montages sur châssis, limitant l'encombrement global tout en maximisant l'efficacité de l'étage de sortie inverseur.